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英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
2025-05-07
CoolSiC™肖特基二极管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封装
2025-03-26
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,在提升效率的同时简化设计
2025-03-17
英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2
2025-02-21
第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离
2025-02-18
技术洞察 | 英飞凌CoolSiC™和CoolGaN™产品,升级电源和机架架构,满足AI服务器的需求
2025-01-03
贸泽电子开售能为电动汽车牵引逆变器提供可扩展性能的英飞凌HybridPACK Drive G2模块
2024-11-26
实现3.3KW高功率密度双向图腾柱PFC数字电源方案
2024-08-05
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
2024-07-24
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
2024-06-25
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2
2024-06-14
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
2024-03-15
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
2024-03-13
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统
2024-03-12
2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET
2024-02-19
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